封裝方式可分為軟封裝和硬封裝，軟封裝首要依據運用要求直接制作成模塊，而硬封裝則是封裝成獨立的芯片?，F在封裝主要分為DIP雙列直插和SMD貼片封裝兩種，下面簡單介紹下電子元器件常用的5種封裝方法與封裝知識。

1、DIP雙列直插式封裝技術（dual inline-pin package）：

雙入線封裝，DRAM的一種元件封裝形式。指采用雙列直插形式封裝的集成電路、模塊電源，絕大多數中小規模集成電路、模塊電源均采用這種封裝形式，其引腳數一般不超過100。DIP封裝結構形式有：多層陶瓷雙列直插式DIP，單層陶瓷雙列直插式DIP，引線框架式DIP、塑料包封結構式，陶瓷低熔玻璃封裝式等。

2、QFP四方扁平封裝（Plastic Quad Flat Package）：

封裝的芯片引腳之間間隔很小，引腳很細，一般大規劃或超大型集成電路都選用這種封裝方法，其引腳數—般在100個以上。用這種辦法封裝的芯片有必要選用SMD （外表裝置設備技能）將芯片與主板焊接起米。選用SMD裝置的芯片不必在主板上打孔，一般在主板外表上有規劃好的相應引腳的焊點。將芯片各引腳對準相應的焊點，即可完成與主板的焊接，用這種辦法焊上去的芯片，如果不用專用工具是很難拆開下來的。

QFP封裝具有以下特色：

（1）適用于SMD外表裝置技能在PCB電路板上裝置布線；

（2）合適高頻運用；

（3）操作便利，可靠性高；

（4）芯片面積與封裝面積之間的比值較小。Intel系列CPU中80286、80386和某些486土板中的芯片就是選用這種封裝。

3、SOP小外型封裝（Small Outline Package）：

SOP封裝技能由1968-1969年菲利浦公司開發成功，今后逐步派生出SOJ（J型引腳小外形封裝）、TSOP（薄小外型封裝）、VSOP（其小外開封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）及SOT（小外型晶體管）、SOIC（小外型集成電路）等。SOP封裝的應用規模很廣，主板的頻率發作器芯片就是選用SOP封裝。

4、PLCC塑封引線芯片封裝（Plastic Leaded Chip Carrier）：

外形呈正方形，四周都有引腳，外形尺寸比DIP封裝小得多。PLCC封裝合適用SMD外表裝置技能在PCB上裝置布線，具有外形尺寸小、可靠性高的優勢。

5、BGA球柵陣列封裝（Ball Grid Array Package）：

BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列辦法散布在封裝下面，BGA技能的優勢是I/O引腳數盡管添加了，但引腳間距并沒有減小反而添加了，然后進步了拼裝成品率。盡管它的功耗添加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，然后能夠改善它的電熱功能。厚度和質量都較曾經的封裝技能有所削減，寄生參數減小，信號傳輸推遲小，運用頻率大人進步，組裝可用共面焊接，可靠性高。

BGA與TSOP比較，具有更小的體積，更好的散熱功能和電功能。BGA封裝技能使每平方英寸①的存儲量有了很大提高，選用BGA封裝技能的內存產品在相同容量下，體積只有TSOP封裝的三分之一。與傳統TSOP封裝辦法比較，BGA封裝方法有愈加快速和有用的散熱途徑。 芯片封裝后，關于芯片的引線能夠簡略再分為電源線（包含參閱信號線）、地線（包含襯底銜接線）、信號輸入輸出線。

一切這些引線及其內引線都會產牛寄生效應，而這些寄生效應關于電路功能的影響，特別是在高速高精度的電路，封裝的寄生效應的影響愈加突出。在進行此類電路規劃時有必要考慮封裝的寄生效應的影響，在進行電路仿真時就需求包含一個合理的電路封裝模型，同時在電路規劃和地圖規劃時有必要采納許多預防措施來減小封裝寄生參數的影響。

封裝的寄生參數首要包含有：自感（內引線和外引線），外引線對地電容，外引線之間的互感以及外引線之間的電容等。

自感：

一切引線（內引線及外引線）都存在必定的自感，其電感值的巨細首要取決于線的長度和封裝類型，在現代封裝工藝中其典型值約為2~20nH。因為電源線與地線是電路中的共用連線，在典型的混合信號lC中，因為連線自感所發作的噪聲對電路的影響首要體現地電源線與地線上，即所謂的電源和地的電壓反射或噪聲。

當電路中多個邏輯門在每個時鐘跳變進行開關時，在與其相連的電源線與地線上會發作很大的噪聲，所以在混合體系的地圖規劃中一般將模仿模塊與數字模塊的電源線與地線分開提供，即所謂的模仿電源和數字電源。但是在地圖規劃中不可能絕對地把電源線分成模仿電源與數字電源，有時還需第三根電源線來避免模仿電源與數寧電源之間的彼此攪擾。而且能夠使剛多個焊盤，多條內引線和多個封裝引腳，以下降引線的等效電感。也能夠運用一個大的片上電容來堅持電源VD與地之間的電壓安穩。

選用片上電容辦法來解決自感的影響時，要注意片上電容的伉的挑選，應避免與封裝電感發作頻率為芯片作業頻率的諧振（可經過規劃幾個電阻與該電容串聯來破壞諧振）。在CMOS工藝中一般由MOS管構成該電容器，這要求晶體管很大，因而大大增大了芯片面積。與襯底內連線也體現出自感。

在現代的封裝中，一般選用將管芯經過導電樹脂直接固定在接地金屬層上，并與幾個接地的封裝引腳相連，以充沛減小襯底的噪聲，消除襯底連線的自感。輸入信號有時也會遭到引線自感的影響，首要體現在對信號高頻成分的衰減上，也會表現在瞬態波形中會發作嚴重的阻尼振蕩，然后影響信號的安穩。

互感：

內引線和外引線上的瓦感會把一些噪聲耦合到靈敏信號中，然后對信號發作影響，關于模仿電源和模仿輸入都易受數字電源的噪聲或時鐘線的跳變等影響，此時有必要對焊盤結構和位置進行認真的規劃，以減小互感的影響。減小互感的辦法首要有兩種，一是使引線銜接時相互筆直，二是在靈敏信號的內引線之間刺進相對安穩的地線或電源線。當然關于多個并聯線，也可規劃成被地線包圍，以減小互感效應，以至于忽略不計。

在地圖規劃時也可減小互感，即在布線時把兩條電流方向相反的引線并排在一起，就可利用互感來減小自感，所以在規劃焊盤結構時應充沛利用這個性質。每個外引線對地都存在寄生電容，即所謂的自感和互感電容，這可能會約束電路的輸入帶寬或許添加前一級的負載。更重要的是，這一電容與內引線、外引線上的總電感將發作必定的諧振頻率，這一頻率能夠被電路中不同的瞬態電流所鼓勵。因為內引線和外引線的串聯電阻較小，因而其品質因數（Q）很大，這會引起強烈的諧振，然后顯著地擴大了噪聲。外引線之間的電容會導致線問的附加耦合，這也有必要包含在仿真中。

封裝的材料介質包括金屬、陶瓷、塑料等，封裝大致經過的發展進程如下：

結構方面：TO->DIP->PLCC->QFP->BGA ->CSP；

材料方面：金屬->陶瓷->塑料；

引腳形狀：長引線直插->短引線或無引線貼裝->球狀凸點；

裝配方式：通孔插裝->表面組裝->直接安裝。